东芝认为其3D NAND BiCS在非挥发性存储器产品成为市场主流前，仍有很多创新研发空间。法新社

在日前于美国加州举行的2018年快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit)上，可见各主要NAND Flash制造商揭橥各自对下世代产品及架构的产品规划蓝图，一如预期，英特尔(Intel)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)及东芝(Toshiba)已在谈论QLC 3D NAND技术、发布96层3D NAND，并概述延伸至128层以上以进一步提升密度的NAND Flash产品规划蓝图，整体可见主要NAND Flash制造商持续推动技术演进，借以加速性能提升、提高密度及降低成本。

根据SearchStorage及富比士(Forbes)报导，如东芝发表称为「XL-Flash」的低延迟存储器产品，是以东芝单层储存单元(SLC)3D NAND技术「BiCS」所开发，能够为多层单元(MLC)提供优化。

东芝固态硬盘(SSD)应用工程技术人员Shigeo Ohshima宣称，XL-Flash具有的低延迟表现，写入延迟表现比传统TLC存储器快上10倍。另外，在命令协定及界面方面完全兼容于传统存储器，且无需额外制程。Ohshima也表示，在ReRAM、MRAM这类非挥发性存储器产品投入量产、成为主流应用前，东芝仍有很多以3D NAND BiCS技术挥洒创新的空间。

Ohshima指出，XL-Flash与密度更高的QLC存储器的结合，能够处理广泛范围的应用负载，并可较DRAM及硬盘(HDD)等传统储存架构改善整体系统效能，XL-Flash与QLC存储器之间的效能差距比DRAM与硬盘之间的差距小上许多，且即使XL-Flash比DRAM慢，但成本更低且可提供较高的容量。

业界认为东芝与三星电子(Samsung Electronics)各自推XL-Flash及Z-NAND，是对英特尔与美光(Micron)共同开发的3D XPoint所做的回应。Wikibon技术长David Floyer认为，东芝XL-Flash及三星Z-NAND将不会达到Optane固态硬盘(SSD)效能水平，但仍可达到相当接近水平。Objective Analysis半导体分析师Jim Handy认为，XL-Flash与Z-NAND资料读取速度会与Optane相近。

大陆存储器厂商长江存储在本届峰会上，发表针对3D NAND打造的全新Xtacking技术架构，具备提高效能与位元密度潜力，希望以此产品挑战既有NAND Flash制造商，宣称能改善效率及I/O速度、缩减裸晶大小、增加位元密度以及缩短开发时间。长江存储执行长杨士宁宣称，Xtacking可在没有任何限制下达到堪比DDR4的I/O速度。

韩厂SK海力士在本届峰会上，则发表以4D NAND来命名的该公司NAND Flash技术，宣称采用电荷捕获型(CTF)设计，结合自身CTF设计与Periphery Under Cell(PUC)技术，将外围电路置放于阵列下方而非采围绕方式，借以提高储存密度并可降低成本。但实际上这非业界首度问世的技术，英特尔与美光、三星都具备这类技术，此即所谓的「CuA」设计，因此业界分析师认为取名4D NAND只是一种营销噱头。