意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）和CEA Tech旗下之研究所Leti宣布合作研发硅基氮化镓（GaN）功率切换组件制造技术。 该硅基氮化镓功率技术将让意法半导体满足高效能、高功率的应用需求，包括混动和电动汽车车载充电器、无线充电和服务器。

本合作计划之重点是在200mm晶圆上开发和验证制造先进硅基氮化镓架构的功率二极管和晶体管。 研究公司HIS预测，该市场将在2024年前将保持超过20%的年复合成长率。 意法半导体和Leti利用IRT奈米电子研究所的框架计划，在Leti的200mm研发在线开发制程技术，预计在2019年完成可供验证的工程样品。 同时，意法半导体还将建立一条高质量生产线，包括GaN／Si异质磊晶制程，并计划2020年前在法国图尔前段制程晶圆厂进行首次生产。

此外，有鉴于硅基氮化镓技术对电源产品应用的吸引力，Leti和意法半导体正在评估高密度电源模块所需的先进封装技术。

意法半导体汽车与离散组件产品部总裁Marco Monti表示：「在认识宽带隙半导体令人难以置信的价值后，意法半导体与CEA-Leti开始合作研发硅基氮化镓功率组件的制造和封装技术。 意法半导体拥有经过市场检验之生产可靠的高质量产品制造能力，于此次合作之后，我们将进一步拥有产业完整的GaN和SiC产品和功能组合。 」

Leti执行长Emmanuel Sabonnadiere则表示：「Leti的团队利用其200mm通用平台全力支持意法半导体硅基氮化镓功率产品的策略规划，并完成准备将该技术移转到意法半导体图尔工厂的硅基氮化镓专用生产线。 此项合作需要双方团队的共同努力，并利用IRT奈米电子研究所的框架计划来扩大所需的知识并在组件和系统层面从头开始创新。