三星电子先前发布，到2020年开发3纳米Foundry制程。据分析称3纳米Foundry制程芯片设计费用将高达15亿美金。虽芯片设计费用的增长倍数极高，但据分析称其电流效率和性能提升幅度并没有与费用成正比，而且考虑到高额的费用，能设计3纳米工程的企业屈指可数。

7月17日半导体市调机构International Business Strategy（IBS）分析称3纳米芯片工程的芯片设计费用将高达4亿至15亿美金。IBS说明，在设计复杂度相对较高的GPU等芯片设计费用。该公司资料显示28纳米芯片的平均设计费用为5130美金，而采用FinFET技术的7纳米芯片设计费用为2亿9780万美金，是将近6倍的涨幅。半导体芯片的设计费用包含IP、Architecture、检查、物理验证、软件、试产品制作等费用。

这也是半导体行业Fabless工厂一直青睐16纳米FinFET和三星的14纳米FinFET制程的理由。对Foundry厂商来说成本也是颇为伤脑筋的事情，不仅如此3纳米制程难度也颇高。

三星电子的3纳米制程将首次使用GAAE(Gate-All-AroundEarly), GAAP(Gate-All-Around Plus)技术，并起名为MBCFET(MultiBridge Channel FET)。技术的为确保每个Gate通道的电流存在。若FinFET结构为3面电流，GAA为Gate的所有面都要确保有电流，电流通道变大后随之性能也将提升。

三星电子的MBCFET技术为美国IBM和GF共同开发。若FinFET为鱼鳞状的Gate竖向排列的话，GAA为Gate横向叠加排列方式。为生产此种Gate结构需要Pattern显影、蒸镀、蚀刻等一系列工程的革新，并且为了减少寄生电容还要导入替代铜的钴、钌等新材料。

业界人士称：3纳米工程开发与芯片设计若有庞大财源的支持下是有可行性，但关键在于是否值得如此投资。而且可使用此种工程的公司也就只有高通、苹果、英伟达、苹果等少数公司，这也将是3纳米工程的绊脚石之一。