瀚佳科技（深圳）有限公司

NTB5605PT4G数据表

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 18.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 140 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Vgs - 栅极-源极电压: 5 V

Qg-栅极电荷: 13 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 88 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 4.83 mm  

长度: 10.29 mm  

系列: NTB5605P  

晶体管类型: 1 P-Channel  

类型: MOSFET  

宽度: 9.65 mm  

商标: ON Semiconductor  

正向跨导 - 值: 12 S  

CNHTS: 8541290000  

下降时间: 75 ns  

HTS代码: 8541290095  

MXHTS: 85412999  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 122 ns  

工厂包装数量: 800  

子类别: MOSFETs  

TARIC: 8541290000  

典型关闭延迟时间: 29 ns  

典型接通延迟时间: 12.5 ns  

单位重量: 4 g

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